Faqat Litresda o'qing

Kitobni fayl sifatida yuklab bo'lmaydi, lekin bizning ilovamizda yoki veb-saytda onlayn o'qilishi mumkin.

0+
matn
PDF

Hajm 98 sahifalar

2024 yil

0+

Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур. (Аспирантура, Бакалавриат, Магистратура). Монография.

matn
PDF
Faqat Litresda o'qing

Kitobni fayl sifatida yuklab bo'lmaydi, lekin bizning ilovamizda yoki veb-saytda onlayn o'qilishi mumkin.

114 046,48 soʻm
10% chegirma bering
Maslahat bering ushbu kitobni do'stingiz sotib olganidan 11 404,65 soʻm oling.

Kitob haqida

В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородногораспределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое,учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационногоалгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур.Монография подготовлена в Южном федеральном университете.Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.

Janrlar va teglar

Izoh qoldiring

Kirish, kitobni baholash va sharh qoldirish

Kitob tavsifi

В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного

распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое,

учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного

алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур.

Монография подготовлена в Южном федеральном университете.

Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.

Kitob Андрея Александровича Бычкова «Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур. (Аспирантура, Бакалавриат, Магистратура). Монография.» — veb-saytda onlayn o'qing. Fikr va sharhlar qoldiring, sevimlilarga ovoz bering.
Yosh cheklamasi:
0+
Litresda chiqarilgan sana:
19 noyabr 2023
Yozilgan sana:
2024
Hajm:
98 Sahifa
ISBN:
9785466051582
Umumiy o'lcham:
5.8 МБ
Umumiy sahifalar soni :
98
Mualliflik huquqi egasi:
КноРус

Ushbu kitob bilan o'qiladi