10% chegirma bering
Maslahat bering ushbu kitobni do'stingiz sotib olganidan 1 634,69 soʻm oling.
matnPDF
Hajm 79 sahifalar
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5
16 346,84 soʻm
Kitob haqida
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
Janrlar va teglar
Izoh qoldiring
Kirish, kitobni baholash va sharh qoldirish
Kitob Юрия Ракова, Вячеслава Данилова «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5» — veb-saytda onlayn o'qing. Fikr va sharhlar qoldiring, sevimlilarga ovoz bering.
Yosh cheklamasi:
0+Litresda chiqarilgan sana:
24 aprel 2018Hajm:
79 Sahifa ISBN:
978-5-7782-1618-1Umumiy o'lcham:
2.2 МБUmumiy sahifalar soni :
79Mualliflik huquqi egasi:
Новосибирский государственный технический университет
