Читайте только на Литрес

Kitobni fayl sifatida yuklab bo'lmaydi, lekin bizning ilovamizda yoki veb-saytda onlayn o'qilishi mumkin.

Основной контент книги Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5
Matn PDF

Hajm 79 sahifalar

0+

Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5

Читайте только на Литрес

Kitobni fayl sifatida yuklab bo'lmaydi, lekin bizning ilovamizda yoki veb-saytda onlayn o'qilishi mumkin.

17 600,24 s`om
10% chegirma bering
Maslahat bering ushbu kitobni do'stingiz sotib olganidan 1 760,03 soʻm oling.

Kitob haqida

В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.

Kiring, kitobni baholash va sharh qoldirish uchun
Kitob Юрия Ракова, Вячеслава Данилова «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5» — veb-saytda onlayn o'qing. Fikr va sharhlar qoldiring, sevimlilarga ovoz bering.
Yosh cheklamasi:
0+
Litresda chiqarilgan sana:
24 aprel 2018
Hajm:
79 Sahifa
ISBN:
978-5-7782-1618-1
Umumiy o'lcham:
2.2 МБ
Umumiy sahifalar soni :
79
Matn
O'rtacha reyting 4,7, 278 ta baholash asosida
Audio
O'rtacha reyting 4,2, 740 ta baholash asosida
Matn, audio format mavjud
O'rtacha reyting 4,8, 79 ta baholash asosida
Audio
O'rtacha reyting 4,7, 1738 ta baholash asosida
Matn, audio format mavjud
O'rtacha reyting 4,4, 45 ta baholash asosida
Audio
O'rtacha reyting 4,8, 76 ta baholash asosida
Audio
O'rtacha reyting 4,7, 12 ta baholash asosida