Читайте только на Литрес

Kitobni fayl sifatida yuklab bo'lmaydi, lekin bizning ilovamizda yoki veb-saytda onlayn o'qilishi mumkin.

Основной контент книги Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5

Hajm 79 sahifalar

Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5

mualliflar

Читайте только на Литрес

Kitobni fayl sifatida yuklab bo'lmaydi, lekin bizning ilovamizda yoki veb-saytda onlayn o'qilishi mumkin.

17 985,61 s`om

10% chegirma bering

Maslahat bering ushbu kitobni do'stingiz sotib olganidan 1 798,57 soʻm oling.

Kitob haqida

В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.

Janrlar va teglar

Universitetlar uchun kitoblar va darsliklar

Kiring, kitobni baholash va sharh qoldirish uchun

Kitob Юрия Ракова, Вячеслава Данилова «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5» — veb-saytda onlayn o'qing. Fikr va sharhlar qoldiring, sevimlilarga ovoz bering.

Yosh cheklamasi:

Litresda chiqarilgan sana:

24 aprel 2018

Hajm:

79 Sahifa

ISBN:

978-5-7782-1618-1

Umumiy o'lcham:

2.2 МБ

Umumiy sahifalar soni :

Mualliflik huquqi egasi:

Новосибирский государственный технический университет