10% chegirma bering
Maslahat bering ushbu kitobni do'stingiz sotib olganidan 3 271,03 soʻm oling.
matnPDF
Hajm 48 sahifalar
2001 yil
Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
32 710,28 soʻm
Kitob haqida
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления
Janrlar va teglar
Izoh qoldiring
Kirish, kitobni baholash va sharh qoldirish
Kitob В. Н. Мурашева, Евгения Ладыгина va boshqalar «Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет» — veb-saytda onlayn o'qing. Fikr va sharhlar qoldiring, sevimlilarga ovoz bering.
Yosh cheklamasi:
0+Litresda chiqarilgan sana:
28 mart 2018Yozilgan sana:
2001Hajm:
48 Sahifa Umumiy o'lcham:
502 КБUmumiy sahifalar soni :
48Mualliflik huquqi egasi:
МИСиС
